01、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振
影響振蕩電路的三個指標：頻率誤差、負性阻抗、激勵電平
①頻率誤差太大，導(dǎo)致實際頻率偏移標稱頻率從而引起晶振不起振；
解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品
②負性阻抗過大太小都會導(dǎo)致晶振不起振；
解決辦法：負性阻抗過大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來降低負性阻抗;負性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來增大負性阻抗；一般而言，負性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標稱[敏感詞]阻抗3~5倍
③激勵電平過大或者過小也將會導(dǎo)致晶振不起振；
解決辦法：通過調(diào)整電路中的Rd的大小來調(diào)節(jié)振蕩電路對晶振輸出的激勵電平；一般而言，激勵電平越小越好。
02、內(nèi)部水晶片破裂或損壞導(dǎo)致不起振
運輸過程中損壞、或者使用過程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞，從而導(dǎo)致晶振不起振；
解決辦法：更換好的晶振。
03、晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)或者塵埃等也會導(dǎo)致晶振不起振
晶振的制程之一是水晶片鍍電極，即在水晶片上鍍上一次層金或者銀電極，這要求在萬級無塵車間作業(yè)完成。如果空氣中的塵埃顆粒附在電極上，或者有金渣銀渣殘留在電極上，則也會導(dǎo)致晶振不起振；
解決辦法：更換新的晶振。
04、晶振出現(xiàn)漏氣導(dǎo)致不起振
晶振在制程過程中要求將內(nèi)部抽真空后充滿氮氣，如果出現(xiàn)壓封不良，導(dǎo)致晶振氣密性不好出現(xiàn)漏氣，或者晶振在焊接過程中因為剪腳（DIP）等過程中產(chǎn)品的機械應(yīng)力導(dǎo)致晶振出現(xiàn)氣密性不良，均會導(dǎo)致晶振出現(xiàn)不起振的現(xiàn)象；
解決辦法：更換好的晶振。
05、焊接時溫度過高或時間過長，導(dǎo)致晶振內(nèi)部電性能指標出現(xiàn)異常而引起晶振不起振
以32.768KHz直插型為例，要求使用178°C熔點的焊錫，晶振內(nèi)部的溫度超過150°C，會引起晶振特性的惡化或者不起振。
解決辦法：焊接制程過程中一定要規(guī)范操作，對焊接時間和溫度的設(shè)定要符合晶振的要求。引腳焊接的正確方式應(yīng)是：不在晶振引腳的根部直接焊接；280°C下焊接時間為5秒以內(nèi)，260°C下焊接時間為10秒以內(nèi)。
06、儲存環(huán)境不當(dāng)導(dǎo)致晶振電性能惡化而引起不起振
在高溫或者低溫或者高濕度等條件下長時間使用或者保存，會引起晶振的電性能惡化，可能導(dǎo)致不起振；
解決辦法：盡可能在常溫常濕的條件下使用、保存，避免晶振或者電路板受潮。
07、MCU質(zhì)量問題、軟件問題等導(dǎo)致晶振不起振
目前市場上面MCU散新貨、翻新貨、拆機貨、貼牌貨等魚龍混雜，極易買到非[敏感詞]。這樣電路容易出現(xiàn)問題，導(dǎo)致振蕩電路不能工作。另外即便是[敏感詞]MCU，如果燒錄程序出現(xiàn)問題，也可能導(dǎo)致晶振不能起振。
08、EMC問題導(dǎo)致晶振不起振
一般而言，金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品，如果電路上EMC較大，則盡量選用金屬封裝制品。注：另外晶振[敏感詞]不要走信號線，避免帶來干擾。
09、物料參數(shù)選型錯誤導(dǎo)致晶振不起振
如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，結(jié)果選用12.5PF的，導(dǎo)致不起振；此時只需要更換符合要求的晶振即可解決問題。
